大家都知道，一款5nm芯片想实现量产最重要的有两个点：设计和制造。就设计而言，其实已经有不少厂商能够做到，但苦于没有制造能力，只能寻求供应商。
而全球仅有的几个供应商，也只能依赖美国的技术完成量产，比如台积电、三星。所以这也是华为目前最大的困难，虽然可以自主研发和设计芯片，但这些东西没法被制造出来，确实是有苦难言。
这也导致它目前只能采用其他芯片，上半年已经有多款新发布的手机与联发科合作，虽然性能也算是不错，但始终让人感觉差了那味。
正当我们以为华为的未来不明确时，网上都在纷纷欢呼：中科院在5nm光刻机上有了重大突破、中国有了自己的5nm光刻机、华为有救了等等消息。
他们表示，中科院官网刊登了一篇报道，关于苏州纳米所等在超高精度激光光刻技术研究中获得巨大进展，团队开发了一种新型三层堆叠薄膜结构，可以实现5纳米的特征线宽。
这里简单说明一下，因为ASML的极紫外光刻技术已经非常领先，中科院为了达到这一效果，只能选择这一不同的办法，希望可以追赶上ASML。
乍一看下来，似乎中科院这一消息就是雪中送炭，接下来就等着他们按部就班的研发，到时候给我们带来更大的惊喜。
那如果成功了，华为是不是就有救了呢?
首先大家要知道，中科院的这个技术，最后的目的是为了实现纳米狭缝电极阵列结构的规模生产，实际上并非集成电路，所以压根就不是指芯片制造。
而且目前国内的光刻机也还在90nm这个节点，只能用于90nm芯片的制造，可以说就是手机中的"低端机"。ASML则是当代最强，已经可以用于5nm的生产，如果算的话，两者中间隔了差不多10年以上的技术含量。
虽然目前很多产品都需要光刻，但别看到光刻技术，就觉得一定要用到光刻机，这里面还是有着巨大差别的。中科院这个技术，压根就没有提到光刻机的问题，所以并不等于具备了5nm光刻机的生产力。
另外，他们还明确指出，这项技术只是在实验阶段完成，要实现商用，还需要大量的成本和时间，当然，良品率也是能否达到标准的重要指标之一。
所以说，以现阶段来看，中科院的新型5nm高精度激光光刻技术对华为并没有任何帮助，甚至很有可能压根就不是同一个东西，华为的处境依旧十分艰难。
但别的不说，中科院这一消息，至少就不是件坏事，我们能看到中国在光刻技术上的进步，这就是一件值得高兴、值得庆祝的事情，希望国产技术越来越强大，早日走出被别人困住的局面。
