南大光电自主研发ArF光刻胶通过验证 各项性能满足工艺规格要求

南大光电发布公告称，其控股子公司 “宁波南大光电”自主研发的ArF(193nm)光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证。报告显示，“本次认证选择客户50nm 闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。”

“ArF 光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家 “02 专项”的一个重点攻关项目。本次产品的认证通过，标志着 “ArF 光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破，成为国内通过产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶。

据IT之家了解，光刻胶是半导体芯片制造过程中的核心材料之一 ，经过紫外光、电子束等照射，光刻胶得到曝光，化学性质发生改变，经过显影液的洗涤，图案会留在衬底上。光刻胶分为 KrF(248nm)、ArF(193nm)和 EUV(13.5nm)几种，括号中的数值为曝光光源的波长。