三星演示3nmMBCFET芯片 已为MBCFET注册商标

三星电子和台积电目前都计划开展 3nm 制程工艺研发。据外媒 TomsHardware 消息，三星在 IEEE 国际固态电路会议(ISSCC)上，三星工程师分享了即将推出的 3nm GAEMBCFET芯片的制造细节。

GAAFET 晶体管(闸极全环场效晶体管)从构造上有两种形态，是目前 FinFET 的升级版。三星表示传统的 GAAFET 工艺采用三层纳米线来构造晶体管，栅极比较薄;而三星 MBCFET 工艺使用纳米片构造晶体管，三星已经为 MBCFET 注册了商标。三星表示，这两种方式都可以实现 3nm，但取决于具体设计。

第一种 GAAFET 晶体管的想法早在 1988 年便被提出，这项技术允许设计者通过调整晶体管通道的宽度来精确控制性能和功耗。较宽的材料便于在大功率下获得更高的性能;而较薄的材料可以降低功耗，但是性能受影响。

IT之家了解到，三星于 2019 年便展现了 3GAE 工艺的原理。三星表示，与 7LPP 技术相比，3GAE 能够实现 30% 的性能改进，功率降低 50%，此外晶体管密度可以提升 80%。